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本發(fā)明涉及內(nèi)存調(diào)試，尤其涉及內(nèi)存參數(shù)優(yōu)化調(diào)試方法。、現(xiàn)有ddr每個(gè)產(chǎn)品的ddr的參數(shù)都是固定的，隨著環(huán)境的變化，電子產(chǎn)品的電阻.電容會(huì)發(fā)生微弱的變化，但如果參數(shù)不是最優(yōu)，這些微小的變化會(huì)影響到ddr的信號(hào)，隨著信號(hào)的干擾，會(huì)造成讀取的數(shù)據(jù)有些許偏差。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、本發(fā)明的目的是為了解決現(xiàn)有...

本發(fā)明涉及移動(dòng)硬盤(pán)防護(hù)，具體為一種帶斷電防護(hù)功能的移動(dòng)硬盤(pán)。、移動(dòng)硬盤(pán)是以硬盤(pán)為存儲(chǔ)介質(zhì)，計(jì)算機(jī)之間交換大容量數(shù)據(jù)，可以隨時(shí)插上或拔下，小巧而便于攜帶，可以較高的速度與系統(tǒng)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，是一種強(qiáng)調(diào)便攜性的存儲(chǔ)產(chǎn)品。、根據(jù)申請(qǐng)?zhí)枮閏n.所公開(kāi)的移動(dòng)硬盤(pán)，其技術(shù)方案為“移動(dòng)硬盤(pán)，包括：外殼，形...

本發(fā)明涉及微電子，特別是涉及一種相變存儲(chǔ)器自適位線鉗位高速數(shù)據(jù)讀出電路及方法。、相變存儲(chǔ)器，因其具有讀寫(xiě)速度快，可擦寫(xiě)耐久性高，保持信息時(shí)間長(zhǎng)等特性，被業(yè)界認(rèn)為是解決存儲(chǔ)墻瓶頸的最有發(fā)展?jié)摿Φ脑O(shè)備之一。它以硫系化合物材料為存儲(chǔ)介質(zhì)，利用相變材料在晶態(tài)(相變材料呈低阻態(tài))和非晶態(tài)(相變材料呈...

本發(fā)明的多種實(shí)施例涉及半導(dǎo)體設(shè)計(jì)技術(shù)，更具體地，涉及包括執(zhí)行目標(biāo)刷新操作的存儲(chǔ)裝置的存儲(chǔ)系統(tǒng)。、近期，除了用于依次刷新多個(gè)字線的正常刷新操作外，還會(huì)對(duì)可能會(huì)因行錘擊而丟失數(shù)據(jù)的特定字線執(zhí)行額外的刷新操作(在下文，將被稱為“目標(biāo)刷新操作”)。行錘擊指與特定字線或者被設(shè)置為與特定字線相鄰的字線...

本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器模塊的動(dòng)作方法、存儲(chǔ)器模塊以及包含該存儲(chǔ)器模塊的存儲(chǔ)裝置。、存儲(chǔ)器裝置用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，分為易失性存儲(chǔ)器裝置和非易失性存儲(chǔ)器裝置。作為非易失性存儲(chǔ)器裝置的一個(gè)例子，閃速存儲(chǔ)器裝置能夠用于移動(dòng)電話、數(shù)碼照相機(jī)、移動(dòng)式計(jì)算機(jī)裝置、固定式計(jì)算機(jī)裝置以及其它裝置。、存儲(chǔ)器模塊構(gòu)成為包含...

本發(fā)明涉及一種存儲(chǔ)器裝置及其增強(qiáng)式編程方法，尤其是涉及一種可提升數(shù)據(jù)可靠度的存儲(chǔ)器裝置及其增強(qiáng)式編程方法。、非易失性存儲(chǔ)器經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間、溫度及電壓應(yīng)力的條件將加速縮短組件可靠度的壽命周期。其中，隨著存儲(chǔ)單元持續(xù)地重復(fù)寫(xiě)入擦除，在存儲(chǔ)單元中的氧化層內(nèi)將有大量的陷阱(trap)。這些存儲(chǔ)單元中的...

本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器，特別是涉及一種多次可編程非易失性存儲(chǔ)器，還涉及一種多次可編程非易失性存儲(chǔ)器的擦除電路，及一種多次可編程非易失性存儲(chǔ)器的擦除方法。、mtp(multi-times?program)全稱多次可編程非易失性存儲(chǔ)器，其編程次數(shù)介于otp(one-time?program)存儲(chǔ)器和...

各個(gè)方面涉及憶阻結(jié)構(gòu)、包括多個(gè)憶阻結(jié)構(gòu)的憶阻陣列及其方法，例如用于形成憶阻結(jié)構(gòu)的方法，例如用于形成憶阻結(jié)構(gòu)陣列的方法。、一般來(lái)說(shuō)，各種數(shù)據(jù)處理應(yīng)用可能依賴于晶體管技術(shù)。然而，發(fā)現(xiàn)電阻陣列對(duì)于一些數(shù)據(jù)處理應(yīng)用也是有用的。這種基于電阻器的技術(shù)被進(jìn)一步開(kāi)發(fā)，以允許選擇性地重新配置電阻器的電阻。例...

本申請(qǐng)涉及固體硬盤(pán)生產(chǎn)設(shè)備，更具體地說(shuō)，是涉及一種固態(tài)硬盤(pán)的測(cè)試板結(jié)構(gòu)。、固態(tài)硬盤(pán)(solid?state?drive，ssd)因其強(qiáng)大的隨機(jī)讀寫(xiě)能力，被廣泛應(yīng)用于各領(lǐng)域。固態(tài)硬盤(pán)可以安裝于主機(jī)(host)上以作為主機(jī)的存儲(chǔ)介質(zhì)，主機(jī)向固態(tài)硬盤(pán)下發(fā)數(shù)據(jù)，以使得固態(tài)硬盤(pán)將下發(fā)的數(shù)據(jù)寫(xiě)入固態(tài)硬...

本公開(kāi)涉及基于使用的干擾計(jì)數(shù)器清除。、計(jì)算機(jī)、智能手機(jī)及其它電子裝置依賴處理器及存儲(chǔ)器。處理器基于數(shù)據(jù)執(zhí)行代碼以運(yùn)行應(yīng)用程序且向用戶提供特征。處理器從存儲(chǔ)器獲得代碼及數(shù)據(jù)。電子裝置中的存儲(chǔ)器可包含易失性存儲(chǔ)器(例如隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ram))及非易失性存儲(chǔ)器(例如快閃存儲(chǔ)器)。與處理器的能力...

本公開(kāi)涉及一種用于處理輸入變量的方法。本公開(kāi)還涉及一種用于處理輸入變量的設(shè)備。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、示例性實(shí)施方式涉及一種用于處理輸入變量的方法，例如計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法，包括：將第一輸入變量加載到(beaufschlagenmit…)第一晶體管的控制電極，將第二輸入變量加載到電流導(dǎo)出裝置(strom...

本發(fā)明涉及一種包含nor型或nand型的存儲(chǔ)單元陣列的半導(dǎo)體裝置，特別涉及一種能夠用作神經(jīng)形態(tài)設(shè)備的半導(dǎo)體裝置及其運(yùn)算方法。、作為在結(jié)構(gòu)上模擬突觸及神經(jīng)元的人工智能(artificial?intelligence，ai)硬件，使用可變電阻元件的交叉陣列正在實(shí)用化(例如，日本專(zhuān)利第號(hào)公報(bào))。...

本公開(kāi)涉及一種半導(dǎo)體器件，其中，內(nèi)部電壓在待機(jī)操作和激活操作開(kāi)始之后通過(guò)共享放大器電路和驅(qū)動(dòng)器來(lái)生成。、一般來(lái)說(shuō)，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件通過(guò)從外部源接收電源電壓vdd和接地電壓vss來(lái)生成并使用內(nèi)部操作所需的內(nèi)部電壓。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件所需的內(nèi)部電壓包括供應(yīng)給存儲(chǔ)器核電路的核電壓vcore，用于驅(qū)動(dòng)字...

本申請(qǐng)涉及tf卡測(cè)試的，尤其是涉及一種tf卡測(cè)試裝置。、存儲(chǔ)卡作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的重要媒介，廣泛應(yīng)用于各類(lèi)計(jì)算機(jī)設(shè)備中。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，存儲(chǔ)卡的種類(lèi)與容量也在不斷增加，體積也不斷變小，其中tf卡更是以其小體積，大容量受到用戶的偏愛(ài)。tf卡在制備完成后，必須經(jīng)過(guò)測(cè)試裝置檢測(cè)，一般通過(guò)測(cè)試裝置將...

本申請(qǐng)涉及計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)，特別是涉及一種存儲(chǔ)裝置的編程驗(yàn)證方法和編程方法、電子設(shè)備及介質(zhì)。、nand閃存中存在的錯(cuò)誤由多種效應(yīng)引起的噪聲所造成，主要包括編程/擦除噪聲、數(shù)據(jù)保留噪聲、讀干擾和編程干擾噪聲。其中，讀干擾和數(shù)據(jù)保留噪聲所引發(fā)的可靠性問(wèn)題在nand閃存中廣泛存在，成為nand閃存錯(cuò)誤...

本申請(qǐng)實(shí)施例涉及計(jì)算機(jī)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種空間優(yōu)化能力的測(cè)試方法和裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)及電子設(shè)備。、固態(tài)硬盤(pán)(solid?state?drive，簡(jiǎn)稱ssd)的trim原理主要是基于一個(gè)技術(shù)指令，即trim指令。trim的主要作用是高速nand閃存固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備需要擦除哪些數(shù)據(jù)。、具體來(lái)說(shuō)，當(dāng)...

本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，尤其是涉及一種dna存儲(chǔ)條帶的信息存儲(chǔ)方法及其應(yīng)用。、隨著當(dāng)代信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)信息的含量呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，目前人們使用的存儲(chǔ)方式主要包括磁性存儲(chǔ)器(例如磁帶或硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器)、光學(xué)存儲(chǔ)器(例如藍(lán)光存儲(chǔ)器)和固態(tài)存儲(chǔ)器(例如閃存)，然而這些存儲(chǔ)體系的弊端已逐漸暴露，如存儲(chǔ)...

與用于存儲(chǔ)器裝置中的多電平信令的反饋有關(guān)。、存儲(chǔ)器裝置廣泛用于將信息存儲(chǔ)在例如計(jì)算機(jī)、無(wú)線通信裝置、相機(jī)、數(shù)字顯示器等各種電子裝置中。通過(guò)將存儲(chǔ)器裝置內(nèi)的存儲(chǔ)器單元編程到各種狀態(tài)來(lái)存儲(chǔ)信息。例如，二進(jìn)制存儲(chǔ)器單元可編程到兩種支持狀態(tài)中的一種，常常由邏輯或邏輯來(lái)表示。在一些實(shí)例中，單個(gè)存儲(chǔ)器...

本技術(shù)涉及一種半導(dǎo)體電路，更具體地涉及一種緩沖電路、半導(dǎo)體器件和包括該半導(dǎo)體器件的信號(hào)處理系統(tǒng)。、半導(dǎo)體器件可以發(fā)送和接收時(shí)鐘信號(hào)和數(shù)據(jù)以與外部設(shè)備通信。半導(dǎo)體器件可各自包括通過(guò)放大和/或緩沖輸入信號(hào)來(lái)生成輸出信號(hào)的緩沖電路。隨著信號(hào)傳輸線的負(fù)荷的增加，特別是半導(dǎo)體器件中最長(zhǎng)的全局信號(hào)線的...

本發(fā)明涉及一種數(shù)據(jù)讀取技術(shù)，尤其涉及一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置及其讀取電壓的搜尋方法。、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置靜止時(shí)間過(guò)長(zhǎng)或者使用壽命減少的時(shí)候，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置會(huì)出現(xiàn)電壓漂移的現(xiàn)象，導(dǎo)致錯(cuò)誤率上升，數(shù)據(jù)穩(wěn)定性差。用原存儲(chǔ)器顆粒廠商的默認(rèn)讀取電壓讀數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置，如果電壓漂移過(guò)大，將會(huì)導(dǎo)致讀取到的翻轉(zhuǎn)比特太多，超過(guò)...